1）气缺现象：一个入气口的反应室，沿气流方向反应剂不断消耗，浓度降低，因此膜厚不均。当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象。
2）解决措施：
○1在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度，从而提高淀积速率，补偿气缺效应的影响，减小各处淀积厚度差别。
○2采用分布式的气体入口，就是反应剂气体通过一系列气体口注入列反应室中。需要特殊设计的淀积室来限制注入气体所产生的气流交叉效应。
○3增加反应室中的气流速度。
（简答题）
什么是CVD中的气缺现象？解决气缺现象的措施？
正确答案
答案解析
略
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