根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可工作在正向放大、饱和、截止和反向放大模式。实际运用中主要是正向放大模式,此时发射结正偏,集电结反偏,以NPN晶体管为例说明载流子运动过程;
①射区向基区注入电子;正偏的发射结上以多子扩散为主,发射区向基区注入电子,基区向发射区注入空穴,电子流远大于空穴流;
②基区中自由电子边扩散边复合。电子注入基区后成为非平衡少子,故存在载流子复合,但因基区很薄且不是重掺杂,所以大部分电子能到达集电结边缘;
③集电区收集自由电子:由于集电结反偏,从而将基区扩散来的电子扫入集电区形成电子电流,另外还存在反向饱和电流,主要由集电区空穴组成,但很小,可以忽略。