不溶或仅微溶于熔体；
尽可能地不含有能输运到熔体中区的杂质；
容易清洗，表面杂质都能除去；
在正常适用条件下，有高强度和物理稳定性；
有低的孔隙率以利于排气；
易于加工或制成所需形状的坩埚。
（简答题）
熔体生长单晶所用坩埚材料遵循哪些原则？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；
（简答题）
简述熔体法生长单晶的特点以及主要方法？
（单选题）
半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。
（简答题）
熔体生长方法有哪些？
（简答题）
单晶的主要特性及应用领域单晶的生长方法的分类是怎样的？
（简答题）
简述常用单晶生长方法
（简答题）
水热发生长单晶的优缺点是什么？
（单选题）
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
（单选题）
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
