（判断题）
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
（填空题）
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
（填空题）
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
（填空题）
自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
（填空题）
空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
（简答题）
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
（填空题）
在N型半导体中，掺入（）价杂质元素。
（单选题）
在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）
（简答题）
有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。
