（名词解析）
施主杂质
正确答案
在半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。
答案解析
略
相似试题
（判断题）
将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。
（填空题）
SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
（简答题）
有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。
（简答题）
计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
（简答题）
在n型和p型半导体催化剂中各加入施主杂质后，它们的导电率和逸出功各有何变化？
（简答题）
锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量mn*=0.015m0， m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能 ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
（简答题）
锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量m*n=0.015m0，m0为电子的惯性质量，求 ①施主杂质的电离能， ②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
（单选题）
半导体中施主能级的位置位于（）中。
（填空题）
施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。
