（单选题）
半导体中施主能级的位置位于（）中。
A禁带
B价带
C导带
D满带
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
半导体中施主能级的位置位于（）。
（单选题）
半导体中受主能级的位置位于（）中。
（填空题）
P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
（简答题）
计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
（填空题）
施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。
（简答题）
在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？
（简答题）
在n型和p型半导体催化剂中各加入施主杂质后，它们的导电率和逸出功各有何变化？
（判断题）
半导体的附加能级使其电子脱出功减小，Ef 能级升高。
（简答题）
现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型 （3）计算这三个样品的费米能级的位置
