（填空题）
刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
正确答案
化学方法；物理方法；在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
答案解析
略
相似试题
（判断题）
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（判断题）
在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
（判断题）
不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
（填空题）
晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。
（判断题）
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（填空题）
芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
（判断题）
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
（判断题）
表面粗糙度符号表示表面是用去除材料的方法获得，表示表面是用不去除材料的方法获得。
（判断题）
集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
