（判断题）
离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
离子束加工时，由于离子质量大，当速度高、能量大时，垂直撞击时离子可注入工件材料内部，称（）。当速度低、能量小时，离子可以溅射镀覆在工件表面，称（）。当能量速度（）而倾斜撞击工件时，可将工件表面的分子，原子撞击出去，一层一层的剥离下来，称为（）加工或（）加工。
（判断题）
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
（简答题）
离子注入后进行退火工艺的原因是什么？
（简答题）
简述离子注入工艺中退火的主要作用？
（简答题）
配位体与中心金属离子的π成键作用将影响配合物的分裂能，假定配位体的π轨道能量低于中心金属离子的π轨道，且已被电子所填满。请画出在八面体场中，这种π成键作用的分子轨道能级图，分析其对配合物的△o的影响。
（判断题）
离子束加工机床（激光加工机床）是采用激光能量进行加工的设备的总称。
（判断题）
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
（简答题）
设氢原子中电子处在激发态2s轨道时能量为E1，氦原子处在第一激发态1s12s1时的2s电子能量为E2，氦离子He+激发态一个电子处于2s轨道时能量为E3，请写出E1，E2，E3的从大到小顺序。
（简答题）
在气体中，产生一个“电子－离子”对所需要的平均能量大约是多少？其法诺因子在什么范围？
