（判断题）
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
（判断题）
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
（简答题）
与扩散源相比，离子注入有哪些优点？
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（判断题）
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
（名词解析）
有限表面源扩散
（名词解析）
恒定表面源扩散
（判断题）
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
（判断题）
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
