首页学历类考试大学工学
(简答题)

扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

正确答案

扩散杂质所形成的浓度分布:杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成,杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面,这些杂质浓度将从表面到体内单调下降,而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布:掺杂离子以离子束的形式注入半导体内,杂质浓度在半导体内有个峰值分布,杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
(1).离子注入掺杂的优势:相对于扩散工艺,离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度,较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂,因为高温下化合物的组分可能发生变化,另外,较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜,热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
(2)离子注入掺杂的缺点:主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此,后续的退化处理用来去除这些损伤。

答案解析

相似试题

  • (判断题)

    有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

    答案解析

  • (判断题)

    实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺:扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单,所以被广泛采用。

    答案解析

  • (判断题)

    离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

    答案解析

  • (判断题)

    离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。

    答案解析

  • (单选题)

    对于掺杂的硅材料,其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示,其中,AB段电阻率随温度升高而下降的原因是()

    答案解析

  • (简答题)

    室温下,本征锗的电阻率为47Ω·cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每106个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s, 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。

    答案解析

  • (判断题)

    掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。

    答案解析

  • (判断题)

    热扩散掺杂的工艺可以一步实现。

    答案解析

  • (判断题)

    在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。

    答案解析

快考试在线搜题