（判断题）
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
（判断题）
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
（判断题）
离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（判断题）
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
（判断题）
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
（判断题）
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（填空题）
在发酵培养条件的控制中，防止氢离子浓度变化过大的方法是采用（）或加不溶解的碳酸盐。
（简答题）
计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
