（单选题）
对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（） 
A 杂质电离和电离杂质散射
B 本征激发和晶格散射
C 晶格散射
D 本征激发
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei
（简答题）
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
（简答题）
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
（判断题）
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
（填空题）
发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
（填空题）
由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
（填空题）
PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
（单选题）
为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。
（判断题）
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
