（判断题）
热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
（简答题）
经过哪些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。
（判断题）
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
（简答题）
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
（填空题）
集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
（判断题）
集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（单选题）
为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。
（判断题）
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
