（判断题）
集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（填空题）
常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
（判断题）
光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
（填空题）
集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
（判断题）
双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
（填空题）
集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。
（简答题）
简述多层印制电路基板制造工艺？
（简答题）
在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
