1.可在较低的温度下，将各种杂质掺入到不同的半导体中；
2.能够精确控制晶圆片内杂质的浓度分布和注入的深度；
3.可实现大面积均匀性掺杂，而且重复性好；
4.掺入杂质纯度高；
5.由于注入粒子的直射性，杂质的横向扩散小；
6.可得到理想的杂质分布；7.工艺条件容易控制。
（简答题）
与扩散源相比，离子注入有哪些优点？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
（判断题）
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
（简答题）
离子注入法有哪些优点？
（简答题）
电容式、扩散硅式、电感式、振弦式差压变送器与矢量机构式差压变送器相比有什么优点？
（判断题）
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
（简答题）
与常压蒸发相比，减压（真空）蒸发有哪些优点？有哪些缺点？
（简答题）
与铸铁相比，铸钢有哪些优点？
（简答题）
虚拟仪器与传统仪器相比有哪些优点？
（简答题）
与圆柱配合相比，圆锥配合有哪些优点？
