（判断题）
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
（判断题）
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（判断题）
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
（判断题）
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
（判断题）
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
（填空题）
离子束加工时，由于离子质量大，当速度高、能量大时，垂直撞击时离子可注入工件材料内部，称（）。当速度低、能量小时，离子可以溅射镀覆在工件表面，称（）。当能量速度（）而倾斜撞击工件时，可将工件表面的分子，原子撞击出去，一层一层的剥离下来，称为（）加工或（）加工。
（判断题）
离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。
（判断题）
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
