（简答题）
掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，请计算300K。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
掺有浓度为每立方米为1.5×1023砷原子和立方米5×1022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。
（简答题）
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
（判断题）
西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。
（简答题）
计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
（单选题）
在硼的化合物中硼原子的最高配位数不超过4这是因为（）
（单选题）
硼族元素的原子都属缺电子原子，而硼原子的缺电子性在形成化合物时表现得尤为突出，其原因是（）
（简答题）
0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）
（单选题）
作为半导体最基本材料的硅，其原子最外层有14个电子，其各层分布的数目分别是（）。
（简答题）
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
