（填空题）
列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
正确答案
掺杂阻挡；表面钝化；金属层间介质
答案解析
略
相似试题
（判断题）
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
（简答题）
为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？
（简答题）
给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
（判断题）
硅片制造厂可分为六个独立的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
（填空题）
制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
（判断题）
快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。
（判断题）
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
（填空题）
在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。
（判断题）
暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
