（判断题）
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
（单选题）
下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）
（判断题）
双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。（）
（简答题）
什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
（判断题）
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
（单选题）
双极晶体管的高频参数是（）。
（单选题）
双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
（简答题）
什么叫晶体缺陷？
（判断题）
位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
