（单选题）
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A扩散层质量
B设计
C光刻
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
（判断题）
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
（单选题）
下列晶体管结构中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：（）
（判断题）
双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。（）
（单选题）
双极晶体管的高频参数是（）。
（单选题）
双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
（简答题）
什么叫晶体缺陷？
（判断题）
门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）
（填空题）
半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。
