（填空题）
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
（填空题）
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
（简答题）
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
（简答题）
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
（多选题）
硅外延生长工艺包括（）。
（多选题）
硅外延片的应用包括（）。
（简答题）
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
（判断题）
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
（简答题）
叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
