（多选题）
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
A光刻胶
B衬底
C表面硅层
D扩散区
E源漏区
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
（单选题）
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
（单选题）
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
（单选题）
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
（单选题）
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
（单选题）
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
（单选题）
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
（单选题）
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
（多选题）
扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
