（单选题）
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
A刻蚀速率
B选择性
C各向同性
D各向异性
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
（单选题）
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
（多选题）
晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。
（单选题）
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
（单选题）
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
（多选题）
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
（多选题）
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
（单选题）
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
（多选题）
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
