（多选题）
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A红外线辐射
BX射线照射
C加热
D紫外光辐射
E电子束扫描
正确答案
答案解析
略
相似试题
（多选题）
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
（单选题）
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
（单选题）
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
（单选题）
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
（单选题）
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
（多选题）
光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
（多选题）
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
（多选题）
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
（单选题）
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
