(单选题)
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A突触前轴突末梢超极化
B突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C突触后膜去极化
D突触后膜电位负值增大,出现超极化
E突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
正确答案
答案解析
略
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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
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对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()
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(简答题)
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突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()
(单选题)
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
(单选题)
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()