（单选题）
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
ACl通道开放可降低IPSP
B多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
CIPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
DIPSP使神经元的兴奋性增加
EIPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
正确答案
答案解析
略
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（单选题）
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（单选题）
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）
（单选题）
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
（单选题）
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
（单选题）
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）。
（单选题）
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
（简答题）
试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理？
