（单选题）
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A是局部除极化电位
B具有"全或无"性质
C是局部超极化电位
D由突触前膜递质释放量减少所致
E由突触后膜对钠通透性增加所致
正确答案
答案解析
抑制性突触后电位(IPSP)的发生机制是某种抑制性递质作用于突触后膜时，导致氯离子通道开放，氯离子内流，从而使膜电位发生超极化。因此，IPSP属于局部超极化，而非除极化，也不具有"全或无"性质（这是动作电位的特征），不是因突触前膜递质释放量不足，而是足够量的抑制性递质。突触后膜对氯离子通透性增加，也可能有钠的通透性减少。
相似试题
（单选题）
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
（单选题）
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
（单选题）
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）。
（单选题）
对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）
（单选题）
对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）
（单选题）
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）
（单选题）
关于突触前抑制的叙述，正确的是（）
（单选题）
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
（单选题）
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
