首页技能鉴定其他技能半导体芯片制造工
(简答题)

以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。

正确答案

以P2O2杂质源为例来说明SiO2的掩蔽过程:当P2O2与SiO2接触时,SiO2就转变为含磷的玻璃体。A.扩散刚开始,只有靠近表面的SiO2转变为含磷的玻璃体。B.大部分SiO2层已转变为含磷的玻璃体。C.整个SiO2层都转变为含磷的玻璃体。D.在SiO层完全转变为玻璃体后,又经过一定时间,SiO2层保护的硅中磷已经扩进一定深度。

答案解析

相似试题

  • (简答题)

    简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程,并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

    答案解析

  • (简答题)

    说明SiO2的结构和性质,并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

    答案解析

  • (简答题)

    以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

    答案解析

  • (单选题)

    二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。

    答案解析

  • (简答题)

    简述BOE(或BHF)刻蚀SiO2的原理。

    答案解析

  • (简答题)

    简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。

    答案解析

  • (简答题)

    采用无定形掩膜的情况下进行注入,若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000,掩蔽膜的厚度应为多少?用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

    答案解析

  • (单选题)

    说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫():

    答案解析

  • (简答题)

    采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?

    答案解析

快考试在线搜题