（单选题）
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
A预
B再
C选择
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
（简答题）
采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
（单选题）
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
（填空题）
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
（填空题）
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
（单选题）
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
（简答题）
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
（简答题）
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
（简答题）
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
