(简答题)
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
正确答案
(1)如果这次预淀积进行了总共t分钟,若预淀积温度不变,引入3Qcm-2的杂质需要多长时间?(2)预淀积后再进行推进扩散,要求推进的杂质足够深,使得最后表面杂质浓度等于其固溶度Cs的1%。若已知预淀积过程中的(Dt)predop,推导出推进扩散过程中(Dt)drive-in的表达式。
答案解析
略
相似试题
(简答题)
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
(单选题)
溅射法是由()轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
(填空题)
二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
(简答题)
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?
(简答题)
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
(填空题)
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
(单选题)
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
(简答题)
物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。
(简答题)
杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生的条件是什么?从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。