（判断题）
对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（判断题）
曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
（简答题）
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
（填空题）
光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
（简答题）
什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
（填空题）
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
（判断题）
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（判断题）
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
（判断题）
光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
