（填空题）
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
正确答案
正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶
答案解析
略
相似试题
（简答题）
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
（简答题）
简述光刻工艺的8个基本步骤。
（简答题）
光刻工艺包括哪些工艺？
（简答题）
什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
（简答题）
光刻加工技术的基本过程通常包括哪些步骤？
（判断题）
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（填空题）
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
（单选题）
光刻加工的工艺过程为：（）
（简答题）
光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
