A对
B错
（判断题）
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
答案解析
（简答题）
列出并描述I线光刻胶的4种成分。
典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
（单选题）
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
（名词解析）
光刻胶
