（判断题）
步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？
（判断题）
曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
（判断题）
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
（简答题）
光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
（单选题）
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。
（判断题）
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
（填空题）
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
（多选题）
安全生产目标管理的三个基本阶段是（）。
（简答题）
光刻加工技术的基本过程通常包括哪些步骤？
