（多选题）
离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
A砷化氢
B二硼化氢
C四氟化硅
D三氟化磷
E五氟化磷
正确答案
答案解析
略
相似试题
（多选题）
离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。
（单选题）
（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。
（单选题）
离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。
（单选题）
早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。
（多选题）
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
（多选题）
半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
（单选题）
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
（单选题）
在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
（单选题）
为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。
