（单选题）
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
A能量淀积
B动量淀积
C能量振荡
D动量振荡
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
（多选题）
对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。
（单选题）
（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。
（多选题）
离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
（单选题）
早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。
（多选题）
离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。
（单选题）
离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。
（多选题）
半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。
（单选题）
当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。
