（多选题）
二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。
A玻璃器皿
B高温器材
C人体沾污
D化学试剂
E去离子水
正确答案
答案解析
略
相似试题
（多选题）
解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
（单选题）
钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。
（单选题）
硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。
（单选题）
离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。
（单选题）
He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。
（单选题）
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
（单选题）
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
（单选题）
离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。
（单选题）
早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。
