（多选题）
解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
A加强工艺操作
B加强人体和环境卫生
C使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备
D采用HCl氧化工艺
E硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹
正确答案
答案解析
略
相似试题
（多选题）
二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。
（单选题）
为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。
（单选题）
钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。
（多选题）
二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
（单选题）
硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。
（单选题）
离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。
（多选题）
净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。
（单选题）
沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
（多选题）
沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。
