1）干法腐蚀是应用等离子技术的腐蚀方法，刻蚀气体在反应器中等离子化，与被刻蚀材料反应（或溅射），生成物是气态物质，从反应器中被抽出。湿法刻蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
2）干法刻蚀与湿法刻蚀比较，优点：
○1保真度好，图形分辨率高；
○2湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进行干法刻蚀。
○3清洁性好，气态生成物被抽出；无湿法腐蚀的大量酸碱废液。
缺点：
○1设备复杂
○2选择比不如湿法
（简答题）
什么是干法刻蚀？什么是湿法刻蚀？比较二者的优缺点。
正确答案
答案解析
略
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（名词解析）
刻蚀模
