1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
（简答题）
列举离子注入设备的5个主要子系统。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
（判断题）
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
（简答题）
离子注入的主要缺点是什么？如何克服？
（简答题）
简述离子注入工艺中退火的主要作用？
（简答题）
离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？
（简答题）
列举至少5个以上的结构构件。
（简答题）
列举至少5个MES的功能模块。
（简答题）
列举至少5个我国水土保持相关机构、研究院所。
（判断题）
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
