（简答题）
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
（简答题）
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
（填空题）
化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
（简答题）
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
（简答题）
简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
（填空题）
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
（简答题）
说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
（简答题）
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
（简答题）
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
