（填空题）
化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
（简答题）
衬底清洗过程包括哪几个步骤？
（单选题）
Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.
（填空题）
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
（填空题）
腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
（简答题）
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
（简答题）
叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
（判断题）
晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）
（填空题）
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
