（填空题）
腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
（填空题）
光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
（单选题）
反应离子腐蚀是（）。
（简答题）
在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分别说一下其腐蚀停止原理。
（判断题）
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（）
（填空题）
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
（单选题）
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
（简答题）
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
（填空题）
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
