（单选题）
反应离子腐蚀是（）。
A化学刻蚀机理
B物理刻蚀机理
C物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
离子源是产生离子的装置。（）
（单选题）
腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
（填空题）
离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
（填空题）
腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
（填空题）
离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。
（简答题）
什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
（简答题）
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
（单选题）
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
（单选题）
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
