首页技能鉴定其他技能半导体芯片制造工
(简答题)

什么是离子分布的偏斜度和峭度,和标准高斯分布有什么区别?

正确答案

非对称性常用偏斜度γ(skewness)表示:γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加,即x<Rp区域浓度增加。畸变用峭度β(kurtosis)表示:峭度越大,高斯曲线的顶部越平,标准高斯曲线的峭度为3。LSS的理论是呈标准的高斯分布,不同的杂质会不同程度地偏离对称的高斯分布。如图中所示。

答案解析

相似试题

  • (简答题)

    热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。

    答案解析

  • (填空题)

    离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。

    答案解析

  • (简答题)

    什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?

    答案解析

  • (简答题)

    什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?

    答案解析

  • (简答题)

    什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化?

    答案解析

  • (单选题)

    恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?()

    答案解析

  • (简答题)

    采用无定形掩膜的情况下进行注入,若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000,掩蔽膜的厚度应为多少?用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

    答案解析

  • (判断题)

    离子源是产生离子的装置。()

    答案解析

  • (单选题)

    反应离子腐蚀是()。

    答案解析

快考试在线搜题