载流子浓度：ni=n0p0=（NcNv）1/2exp（-Eg/2kT）
费米能级：Ei=Ef=（Ec+Ev）/2+（3kT/4）*ln（mp/mn）
（简答题）
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
（简答题）
证明：对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上，即EFn>EF。
（简答题）
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
（简答题）
为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？
（单选题）
N型半导体的费米能级处于禁带（）。
（简答题）
现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型 （3）计算这三个样品的费米能级的位置
（单选题）
对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
（填空题）
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
（判断题）
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
