1）铜在SiO2中极易扩散，造成对硅器件的沾污：增加SiO2的漏电流；增加结漏电流；降低了击穿电压。
2）铜极容易氧化和被腐蚀；
3）铜与low-k间的粘附性很差。要实现铜互连必须找到一种扩散阻挡层，将铜约束在互连结构中，同时实现防止铜的氧化或腐蚀、改善与介质的粘附性。
金属扩散阻挡层——铜互连结构应该处处被扩散阻挡层包围，一部分为介质阻挡层，一部分为导电阻挡层。采用导电阻挡层的原因在于上下互连层之间要联通，不能采用不导电的介质做阻挡层。
（简答题）
在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成哪几种，分别起什么作用？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。
（填空题）
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
（简答题）
什么是两步扩散工艺，其两步扩散的目的分别是什么？
（单选题）
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
（简答题）
杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。
（简答题）
什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
（简答题）
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
（填空题）
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
（简答题）
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
