（单选题）
大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
A薄膜厚度
B图形宽度
C图形长度
D图形间隔
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
（多选题）
沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。
（单选题）
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
（单选题）
沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
（单选题）
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
（多选题）
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
（多选题）
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
（单选题）
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
（单选题）
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
