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(多选题)

下列材料属于N型半导体是()。

A硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)

B硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)

C砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)

D砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

正确答案

来源:www.examk.com

答案解析

相似试题

  • (填空题)

    半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿型、()型。

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  • (填空题)

    半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、固溶半导体三大类。

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  • (填空题)

    半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为()半导体、()半导体、固溶半导体三大类。

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  • (填空题)

    半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。一种是(),另一种是()。

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  • (单选题)

    常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用()。

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  • (判断题)

    迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()

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  • (填空题)

    禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。

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  • (单选题)

    禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

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  • (判断题)

    在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。()

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