（单选题）
在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）
A干氧
B湿氧
C水汽氧化
D不能确定哪个使用的时间长
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
（简答题）
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（填空题）
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
（填空题）
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（简答题）
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（判断题）
硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）
（判断题）
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（简答题）
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（判断题）
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